ZK-3C三相可控硅调压触发器采用移相触发控制方式，输出电压、电流或功率连续可调，具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。三相晶闸管闭环技术触发板的控制原理为一个典型的双闭环控制，电流环为内环，电压环为外环。

 

　　ZK-3C三相可控硅调压触发器可控硅的触发主要取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的变量。当向可控硅施加电压时，如果阳极可以与阴极相关＋ve，则可控硅变成转发偏向。因此该晶闸管进入正向阻断状态。

 

　　在可控硅触发中，包括栅极驱动要求（如果使用栅极触发）、触发时间（需要保持所施加的触发激励时间以使电路锁存）等各个方面都很重要，各种参数的重要性取决于所使用的可控硅触发形式。

 

　　对于要使用的栅极可控硅触发，可控硅要在其击穿电压以下运行，并且还允许适当的安全裕度以适应可能发生的任何瞬变，否则可能会发生正向电压或击穿触发。

 

　　开启可控硅，栅极和阴极之间的正栅极电压，会产生栅极电流，其中电荷被注入器件的内部p层，这有效地降低了发生正向击穿的电压。可以看出，栅极电流决定了可控硅切换到其导通状态的正向电压。栅极电流越高，正向击穿电压越低。

 

　　低电流高灵敏度可控硅在非常低的电流水平下触发，因此需要外部栅极－阴极电阻来防止栅极区域中热产生的泄漏电流触发。然而，栅极阴极电阻绕过了由阳极电压（dv/dt）的快速变化率引起的一些内部阳极电流。